INTERCONNECT DESIGN WITH CONTROLLED INDUCTANCE

PURPOSE: An integrated circuit device interconnect with controlled inductance. An interconnect design with controlled inductance is provided to improve the quality of signal on the high frequency. CONSTITUTION: An integrated circuit device includes an insulating layer formed on a substrate and an in...

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Hauptverfasser: VU, QUAT, T, CHIEN, LINGU
Format: Patent
Sprache:eng ; kor
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Beschreibung
Zusammenfassung:PURPOSE: An integrated circuit device interconnect with controlled inductance. An interconnect design with controlled inductance is provided to improve the quality of signal on the high frequency. CONSTITUTION: An integrated circuit device includes an insulating layer formed on a substrate and an interconnect disposed on the insulating layer extending along a first path. A dedicated current return path having one end configured to be coupled to ground is disposed on the first insulating layer parallel to the interconnect, such that the signal received by the interconnect is returned to ground via the dedicated current return path when the dedicated current return path is coupled to ground. Inductance of the interconnect is thus controlled by reducing the area of the circuit loop formed by the interconnect and the parallel dedicated current return path. 본 발명은 인덕턴스로 제어되는 집적회로 장치를 상호접속하는 것이다. 집적회로 장치는 기판위에 형성된 절연층(25) 및 제1 경로를 따라 연장되는 절연층(25)위에 배치된 상호접속부(21)를 포함한다. 그라운드에 연결되도록 구성된 일단을 갖는 전류복귀 전용 경로(22)는 상호접속부(21)와 평행한 제 1 절연층(25)위에 배치되어, 상호접속부(21)에 의해 수신된 신호는 전류복귀 전용경로가 그라운드에 연결되어 있을 때 전류복귀 전용경로를 통해 그라운드로 복귀한다. 따라서 상호접속부(21)의 인덕턴스는 상호접속부(21)와 평행한 전류복귀 전용경로(22)에 의해 형성된 회로 루프(27)의 영역이 감소함으로써 제어된다. 일실시예에서, 전류복귀 전용경로(32)는 전류복귀 병렬 전용경로 위 또는 아래의 매입형 그라운드면에서 형성된다. 이 실시예에서, 상호접속부(41) 및 전류복귀 전용경로(46)는 내장형 분리 커패시터로서 함께 작용하며, 크리티컬 댐핑에 이르기위해 일정한 유도 시간을 또한 오프셋한다.