THIN FILM TRANSISTOR USING A METHOD OF CRYSTALLIZING A SILICON THIN FILM AND A METHOD THEREOF

PURPOSE: A method of manufacturing a thin film transistor is provided to improve a characteristic of a device by using a silicon thin film transistor having an outstanding dimension of a silicon grain as an active layer of the thin film transistor. CONSTITUTION: A method of manufacturing a thin film transistor comprises the steps of: preparing a substrate in which an amorphous silicon thin film in a predetermined position is formed on a medium layer having a space inside; forming a polycrystalline silicon thin film after crystallizing the amorphous silicon thin film through a process for supplying laser energy to the amorphous silicon thin film; forming an active layer by photo lithographing the polycrystalline silicon thin film; forming a gate insulation layer and a gate electrode on the active layer; forming a passivation layer covering an exposed surface of the substrate including the gate electrode; exposing a part of the active layer by photo lithographing the passivation layer; and forming a source and a drain electrodes connected to the exposed active layer. 본 발명은 실리콘 박막을 결정화하는 방법과 이를 이용한 박막트랜지스터 및 그 제조방법에 관한 것으로, 실리콘 그레인의 크기를 획기적으로 성장시키도록 실리콘 박막을 결정화하기 위하여, 내부에 공간이 있는 매개층 상에 비정질 실리콘 박막이 형성되어 있는 기판을 마련하는 공정과, 상기 비정질 실리콘 박막에 상기 비정질 실리콘 박막을 결정화하는데 필요한 에너지를 공급하는 공정을 포함하는 비정질 실리콘 박막을 결정화하는 방법으로, 획기적으로 큰 실리콘 그레인으로 구성된 다결정 실리콘 박막을 형성할 수 있고, 이러한 다결정 실리콘 박막으로 활성층의 채널영역을 형성함으로써 박막트랜지스터의 소자 신뢰성을 향상시킬 수 있다. 본 발명은 제시된 실시예 뿐만이 아니라, 첨부된 특허청구범위 및 언급한 상술부분을 통하여 다양한 실시예로 구현될 수 있으며, 동업자에 의하여 다양한 방식으로 적용될 수 있다.