TEMPERATURE CONTROLLING METHOD AND APPARATUS FOR A PLASMA PROCESSING CHAMBER

PURPOSE: A method and a device for minimizing a process drift and for minimizing the degradation of substrate quality being treated in a sequential batch treatment such as oxidant etching of semiconductor wafer are provided. CONSTITUTION: A plasma processing chamber (10) includes a substrate holder (12) and a dielectric member such as a dielectric window (20) or gas distribution plate having an interior surface facing the substrate holder, the interior surface being maintained below a threshold temperature to minimize process drift during processing of substrates. The chamber can include an antenna (18) which inductively couples RF energy through the dielectric member to energize process gas into a plasma state. The antenna can include a channel (24) through which a temperature controlling fluid, which has been cooled by a closed circuit temperature controller, is passed. The control of the temperature of the interior surface minimizes process drift and degradation of the quality of the processed substrates during sequential bath processing of substrates such as during oxide etching of semiconductor wafers. 플라즈마 처리 챔버(10)는 기판 고정구(12)와 상기 기판 고정구를 면하는 내측 표면을 가지는 개스 분배 플레이트 또는 유전체 윈도우(20)와 같은 유전체 부재를 구비하는데, 기판을 처리하는 동안 처리 드리프트를 최소화하도록 내측 표면은 쓰레숄드 온도 이하로 유지된다. 챔버는 안테나(18)를 구비할 수 있으며, 이것은 처리 개스를 플라즈마 상태로 에너지화하도록 유전체 부재를 통해 RF 에너지를 유도 연결시킨다. 안테나는 채널(24)을 구비할 수 있는데, 채널(24)을 통해서, 폐쇄 회로 온도 제어기에 의해 냉각되었던 온도 제어용 유체가 통과된다. 내측 표면의 온도 제어는 프로세스 드리프트를 최소화하며 반도체 웨이퍼의 산화물 에칭과 같은같은 기판의 순차적인 배치(batch) 처리중에 처리된 기판의 품질이 저하되는 것을 최소화한다.