MEASURING METHOD OF VERTICAL HEIGHT OF PATTERN USING INLINE SCAN ELECTRONIC MICROSCOPE FOR ANALYZING SEMICONDUCTOR DEVICE

PURPOSE: A measuring method of vertical height of pattern using inline scan electronic microscope for analyzing semiconductor device is provide to enhance the reliability of the measured results. CONSTITUTION: The measuring method of vertical height of pattern using inline scan electronic microscope for analyzing semiconductor device comprises: a step scanning beam on a semiconductor substrate which pattern is formed on to photograph said pattern, whereby displaying the distribution of the intensity of said beam matched to the profile of said pattern on a monitor; a step positioning the first and second measuring lines of said monitor on prescribed region of bottom of the profile having the distribution displayed on said monitor, whereby measuring the length of the base line of said profile; a step measuring the gradient of the slope line connecting the tip points of said base line and said profile; and a step measuring the vertical height of said profile by using the length of said base line and said gradient. 본 발명은 반도체장치 분석용 인라인 주사전자현미경을 이용한 패턴의 수직높이 측정방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 반도체장치 분석용 인라인 주사전자현미경을 이용한 패턴의 수직높이 측정방법은, 패턴이 형성된 반도체 기판 상에 빔을 주사하여 상기 패턴을 촬영함으로서 상기 패턴의 프로파일과 일치하는 상기 빔의 인테시티의 분포도를 모니터에 디스플레이 시키는 단계, 상기 모니터에 디스플레이된 분포도의 프로파일 저면부 소정영역에 상기 모니터의 제 1 측정선 및 제 2 측정선을 위치시킴으로서 상기 분포도의 프로파일의 배이스라인의 길이를 측정하는 단계, 상기 배이스라인과 상기 분포도의 프로파일의 꼭지점을 연결하는 슬로프라인 사이의 경사각을 측정하는 단계 및 상기 배이스라인의 길이 및 상기 경사각을 이용하여 상기 분포도의 프로파일의 수직높이를 측정하는 단계를 구비하여 이루어지는 것을 특징으로 한다. 따라서, 인라인 주사전자현미경을 이용하여 반도체 기판 상에 형성된 패턴의 수직높이를 용이하게 측정할 수 있는 효과가 있다.