METHOD OF FORMING VIA CONTACT OF ANCHOR SHAPE

PURPOSE: A method of forming via contact is provided to prevent lifting of contact plug caused by the process of CMP or cleaning. CONSTITUTION: The method of forming via contact comprises the steps of forming conduction line layer on a wafer, forming barrier layer on the conduction line layer, forming conduction line and barrier line pattern by patterning, forming inter metal dielectric layer to cover the wafer including the conduction line and barrier line, forming via hole revealing a part of the barrier line pattern by an isotrophic etching and forming anchor hole extended to the inner part of the revealed barrier line pattern to form a wider pattern by isotrophic etching to the revealed barrier line pattern. 금속 배선층 사이에 형성되는 앵커 형상의 비아 콘택(via contact) 형성 방법에 관하여 개시한다. 본 발명에 따른 반도체 소자의 비아 콘택 형성 방법은 반도체 기판상에 배선층을 형성하는 단계와, 상기 배선층 위에 배리어층을 형성하는 단계와, 상기 배리어층 및 배선층을 패터닝하여 배선층 패턴 및 배리어층 패턴을 형성하는 단계와, 상기 결과물을 덮는 금속 층간 절연막을 형성하는 단계와, 상기 금속 층간 절연막을 이방성 식각하여 상기 배리어층 패턴을 노출시키는 비아 홀을 형성하는 단계와, 상기 배리어층 패턴의 노출된 부분을 등방성 식각하여, 상기 비아 홀로부터 연속적으로 상기 비아 홀보다 큰 폭으로 상기 배리어층 패턴 내로 연장되는 앵커 홀(anchor hole)을 형성하는 단계를 포함한다.