ELECTRIC CHARGE STORING ELECTRODE FORMING METHOD OF SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

PURPOSE: An electric charge storing electrode forming method is provided to have the sufficient electric charge storing value while maintaining the existing process as it is. CONSTITUTION: The electric charge storing electrode forming method of a semiconductor memory device comprises the steps of: forming conduction layer patterns having the fine interval on the upper area of a semiconductor substrate(1); forming an insulating film(2) on the conduction layer pattern; forming a photo sensitive film pattern(5) for forming the electric charge storing electrode contact on the insulating film(2); remaining the insulating film(2) on the center of the electric charge storing electrode contact field; eliminating the photo sensitive film pattern(5); forming a conduction layer on the whole surface of the substrate(1) including the electric charge storing electrode contact field; and forming an electric charge storing electrode by patterning the conduction layer as a specific pattern. 고집적 반도체 기억소자에 요구되는 전하저장값을 충족시키기 위하여 산화막을 높게 증착하여 증착시 발생되는 계면의 보이드에 식각시 발생되는 폴리머가 증착되는 원리를 이용하여 산화막 타워를 형성함으로써 충분한 전하저장값을 확보할 수 있도록 하기 위한 방법으로서 반도체기판상부에 미세한 간격을 갖는 도전층패턴들을 형성하는 단계와, 상기 도전층패턴상에 절연막을 형성하는 단계, 상기 절연막상에 전하저장전극 콘택형성용 감광막패턴을 형성하는 단계, 상기 감광막패턴을 마스크로 이용하여 상기 절연막을 이방성식각하여 전하저장전극 콘택영역을 형성함과 동시에 상기 전하저장전극 콘택영역 중앙부분에 상기 절연막이 타워형태로 남도록 하는 단계, 상기 감광막패턴을 제거하는 단계, 상기 전하저장전극 콘택영역을 포함한 기판 전면에 도전층을 형성하는 단계, 및 상기 도전층을 소정패턴으로 패터닝하여 전하저장전극을 형성하는 단계로 이루어지는 반도체 기억소자의 전하저장전극 형성방법을 제공한다.