METHOD OF FORMING PHOTORESIST PATTERN SLOPED AT CONSTANT ANGLE

PURPOSE: The method is to form a photoresist pattern to improve the quality of a device by simplifying the control of ion implantation process and not limiting to the post unit process development. CONSTITUTION: The method comprises the steps of: forming photoresist patterns(2A) on a substrate; changing into photoresist patterns(2B) having sloped side by flowing above photoresist patterns through thermal process; depositing a SOG film(5) on top of photoresist patterns; dishing the SOG film and photoresist patterns; silylating one of photoresist patterns selectively; and forming a photoresist pattern(2D) comprising the silylated photoresist pattern and the SOG film by removing the not-silylated photoresist pattern selectively through O2 plasma treatment. 기판상에 소정의 감광막패턴들을 형성하는 단계와, 열공정을 통해 상기 감광막패턴들을 플로우시켜 경사진 측면형태를 갖는 감광막패턴들로 변화시키는 단계, 상기 감광막패턴들 상부에 SOG를 도포하는 단계, 상기 SOG막 및 감광막패턴들을 디싱하는 단계, 상기 감광막패턴들중 하나만 선택적으로 실릴레이션시키는 단계, 및 O2플라즈마 처리를 행하여 실릴레이션되지 않은 감광막패턴을 선택적으로 제거하여 상기 실릴레이션된 감광막패턴과 SOG막으로 이루어진 감광막패턴을 형성하는 단계를 포함하여 구성되는 감광막패턴 형성방법에 의해 기울어진 감광막패턴을 형성함으로써 후속 단위공정 개발에 제한을 주지 않게 되고 특히 이온주입 공정제어를 간편하게 할 수 있게 되므로 소자의 질을 향상시킬 수 있다.