POLYSILICON-THIN FILM TRANSISTOR AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

PURPOSE: A polysilicon-thin film transistor and the manufacturing method are provided to decrease leakage of electric current when the thin film transistor is turned off. CONSTITUTION: The polysilicon-thin film transistor comprises: a substrate(11); a gate insulating film(13) coated on a gate electrode; a channel layer(14) made into polysilicon and formed on the gate insulating film; an ion stopper(16) formed on the channel layer to correspond to the gate electrode; an impurity area(15) formed on each channel layer on the both sides of the ion stopper; and a source that is a drain electrode(17) contacted with the impurity area of each farthest outer line among the impurity areas. 본 발명은 오프시 누설 전류를 방지할 수 있는 폴리실리콘-박막 트랜지스터 및 그 제조방법을 개시한다. 개시된 본 발명은 기판과, 기판 상에 형성된 적어도 2개 이상의 게이트 전극과, 상기 게이트 전극 상에 피복된 게이트 절연막과, 상기 게이트 전극들을 모두 포함하도록 게이트 절연막 상에 형성되는 폴리실리콘으로 된 채널층과, 상기 게이트 전극과 대응되도록 채널층 상에 형성되는 이온 스톱퍼와, 상기 이온 스톱퍼 양측의 각각의 채널층에 형성되는 불순물 영역과, 상기 불순물 영역 중 최외곽 불순물 영역과 각각 콘택되는 소오스, 드레인 전극을 포함하며, 상기 최외곽 불순물 영역은 소오스, 드레인 영역이 되고, 게이트 전극 사이에 해당하는 불순물 영역은 누설 전류 차단용 보조 접합 영역인 것을 특징으로 한다.