SWITCHING CIRCUIT FOR TEST OF MEMORY CELL AND REDUNDANCY CELL INSIDE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

PURPOSE: A circuit is provided to control the enable and disable movement of memory cell and redundancy cell. CONSTITUTION: The switching circuit comprises: a control part to control enable and disable movement of the memory cell and redundancy cell by the input signal of pad part; the 1st and 2nd inverter(11,12); the 2nd PMOS transistor(p2) connected between bit lines(bit line: BLN). 1. 청구범위에 기재된 발명이 속한 기술분야 본 발명은 반도체 메모리 장치의 메모리 셀과 리던던시 셀의 테스트를 위한 스위칭 회로에 관한 것이다. 2. 발명이 해결하고자 하는 기술적 과제 반도체 제조 공정을 마친 웨이퍼의 다수의 다이에 대하여 테스트를 실시하여 리페어 다이가 발생하면 그 다이의 이상이 발생된 셀을 리던던시 셀의 이상유무에 관계없이 대체하는데, 대체된 리던던시 셀에 이상이 있을 경우 이 다이를 패키지한 후의 테스트에서 페일을 발생시켜 메모리 장치의 신뢰성을 저하시킨다. 3. 발명의 해결 방법의 요지 본 발명에서는 리던던시 셀의 이상유무를 검사할 수 있도록 특정 전압이 인가될 수 있는 패드와 패드로부터 인가된 전압에 의하여 메모리 셀과 리던던시 셀의 인에이블 및 디스에이블 동작을 제어할 수 있는 회로를 구성한다.