REFRACTION OPTICAL SYSTEM USING A POLARIZATION EFFECT REMOVING PANEL
PURPOSE: A refraction optical system is capable of easily producing a needed wavelength by use of a polarization effect removing panel without affecting a pattern formation instead of 1/4 wavelength panel or 1/2 wavelength panel. CONSTITUTION: The refraction optical system comprises: a reticle(1) ha...
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Format: | Patent |
Sprache: | eng ; kor |
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Zusammenfassung: | PURPOSE: A refraction optical system is capable of easily producing a needed wavelength by use of a polarization effect removing panel without affecting a pattern formation instead of 1/4 wavelength panel or 1/2 wavelength panel. CONSTITUTION: The refraction optical system comprises: a reticle(1) having a pattern to be illuminated; a first lens(2) for correcting a difference between rays of light through the reticle; a first rectangular prism(5) for receiving the corrected ray of light by the first lens; a dielectric multi thin film layer(6) for refracting a S-waveform and passing a P-waveform, wherein the dielectric multi thin film layer is comprised of a high refraction material and a low refraction material deposited in turn; a 1/4 wavelength panel(4) for receiving the S-waveform refracted by the dielectric multi thin film layer, producing a phase difference between a normal ray of light and an abnormal ray of light, and changing the S-waveform to a circular polarized light, wherein the 1/4 wavelength panel produces a phase difference between a normal ray of light of the polarized light and an abnormal ray of light thereof, and then changes the polarized light to the P-waveform; a reflector(3) for refracting the polarized light through the 1/4 wavelength panel to re-receiving the light thus refracted to the 1/4 wavelength panel; a second rectangular prism(7) for receiving the P-waveform to the first rectangular prism and the dielectric multi thin film layer; a second lens(8) for receiving the P-waveform through the second rectangular prism; and a polarization effect removing panel(9) for making the polarization of light through the second lens irregular, and for illuminating the light to the wafer.
본 발명은 미세패턴 형성장비의 반사굴절 광학계에 사용되는 편극 영향 제거판에 관한 것이다. 종래의 경우에는 웨이퍼면에 도달하는 빛의 선편광된 편극을 없애주기 위하여 이상 광선과 정상 광선 사이의 위상차를 90도 발생시켜 원편광을 만들어주는 1/4 파장판을 사용하거나, 원하는 방향의 편극을 만들어 주기 위하여 위상을 180도 발생시키는 1/2 파장판을 사용하였다. 그런데, 이러한 파장판은 사용 파장과 물질의 굴절률에 의해서 결정되는 두께로 정확히 가공해야 하므로 제작이 어렵다. 또한, 파장판의 가공을 쉽게 하기 위해서 차수를 높이면 두께가 두꺼워져서 입사각이 커지면 효율이 떨어지는 단점이 있다. 본 발명에서는 편극 영향 제거판을 통과하면 입사각에 따른 편극이 제각기 달라져 불규칙하게 되는 것을 이용하여 프리즘과 상면(웨이퍼) 사이에 편극 영향 제거판을 위치시켜 선편광된 광의 편극 영향을 제거하므로써 패턴의 모양에 따른 선폭 변화가 없도록 할 수 있다. |
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