CAPACITOR OF A SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FORMING THE SAME

PURPOSE: A capacitor and a method of forming the same are provided to improve a capacitance of the capacitor by increasing the size of hemi-spherical grains and to speed up an operation of a device by decreasing a surface resistance between a storage electrode and a lower structure thereof. CONSTITUTION: The method of forming a capacitor comprises the steps of: forming a contact hole(16) in a semiconductor substrate(10) on which a lower structure; forming a lower storage electrode(18a) having a first impurity concentration in the contact hole; forming an upper storage electrode(18) having a second impurity concentration on the lower storage electrode, the second impurity concentration less than the first impurity concentration; forming a hemi-spherical layer(20) on a surface of the upper storage electrode; forming a dielectric layer(22) on the hemi-spherical layer; and forming a plate electrode(24) on the dielectric layer. 본 발명은 커패시터의 스토리지전극을 상부로 갈수록 불순물 농도를 다르게 형성시키는 반도체소자의 커패시터 및 그 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 의한 커패시터는 반도체기판 상에 형성된 콘택홀을 포함하는 하부구조의 상기 콘택홀을 매몰시키며, 상기 하부구조 상에 형성되고, 상기 콘택홀 저면부에서 상부로 갈수록 불순물의 농도가 감소되어 있는 스토리지 전극을 갖는 것을 특징으로 한다. 또한, 본 발명에 의한 커패시터의 제조방법에 있어서, 상기 커패시터의 스토리지 전극을 형성하는 단계를 상기 콘택홀을 매몰시키며, 제 1 불순물 농도를 갖는 하부스토리지전극을 형성하는 단계와 상기 하부스토리지전극 상에 제 1 불순물 농도보다 낮은 제 2 불순물 농도를 갖는 상부스토리지전극을 형성하는 단계로 하여 커패시터를 제조하는 것을 특징으로 한다. 따라서, HSG막의 그레인 크기를 크게하여 커패시터 정전용량을 증가시킬 수 있으며, 스토리지전극과 셀패드의 계면저항을 낮게하여 소자의 동작속도를 빠르게 하는 효과가 있다.