웨이퍼 번호 인식을 위한 공정방법

여러 막질이 증착되는 반도체소자 제조공정에서 웨이퍼 표면에 기입된 상기 웨이퍼 번호를 잘 인식하도록 해주는 웨이퍼 번호 인식을 위한 공정방법에 관한 것이다. 본 발명은 반도체소자 제조공정중 사진공정에서 노광이 완료된 웨이퍼에 에지노광(Wafer Edge Exposure)을 더 수행한 후 현상공정을 진행하여 이루어진다. 상기 에지노광은 트랙장비에서 수행할 수 있으며, 상기 에지노광은 상기 웨이퍼 에지부분의 웨이퍼 번호 부분만 수행한다. 따라서, 웨이퍼 에지부분의 막질의 두께가 얇아져 웨이퍼 번호를 쉽게 인식할 수 있어 웨이퍼의 관리를 수월하게 유지하므로써 생산성을 향상시키는 효과가 있다.