낮은 유전 상수를 갖는 탄소계 유전체의 안정화 방법 및 그에 의해 형성된 구조

본 발명은 다이아몬드 유사 탄소와 같은 탄소계 유전 물질의 박막을 처리하여 휘발 성분을 제거하는 방법을 제공한다. 본 발명의 방법은 비-산화 대기를 제공하고 박막을 350℃를 초과하여 가열하는 단계를 구비한다. 가열은 고속 열적 어닐링에 의해 수행될 수 있다. 물질의 유전 상수가 낮추어질 수 있다. 안정화된 탄소계 물질은 400℃ 이하의 선택된 온도에서 두께 또는 무게의 변동이 0.5%/시간 미만으로 된다. 본 발명은 집적 회로 칩의 물질을 레벨간 및 레벨내의 유전체로서 구현하는 동안 용적면에서 안정하지 못한 문제점을 해결한다. A method for treating a film of carbon-based dielectric material such as diamond-like carbon to remove volatiles is described. The method incorporates the steps of providing a non-oxidizing ambient and heating the film above 350 DEG C. Heating may be by rapid thermal annealing. The dielectric constant of the material may be lowered. A stabilized carbon-based material is provided with less than 0.5% thickness or weight change/hour at a selected temperature at or below 400 DEG C. The invention overcomes the problem of dimensional instability during the incorporation of the material in integrated circuit chips as an intra and inter level dielectric.