POWER SEMICONDUCTOR DEVICE

전력 반도체 소자를 개시한다. 본 발명은 단락이 발생할 경우 보호회로가 동작하기 전까지 반도체 소자가 파괴되지 않고 단락 전류를 흘릴 수 있도록 단락 회로의 최대 전류 용량을 제한하는 구조를 통해 반도체 소자의 강건성을 강화시킬 수 있다....

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	KO JI A, KIM DONG SIK, JUNG JIN YOUNG, RYU HWA JEONG, LEE JONG HUN, JANG EUN SUN, SHI SONG LI
Format:	Patent
Sprache:	eng ; kor
Schlagworte:	BASIC ELECTRIC ELEMENTS ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY SEMICONDUCTOR DEVICES
Online-Zugang:	Volltext bestellen
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!

Beschreibung
Zusammenfassung:	전력 반도체 소자를 개시한다. 본 발명은 단락이 발생할 경우 보호회로가 동작하기 전까지 반도체 소자가 파괴되지 않고 단락 전류를 흘릴 수 있도록 단락 회로의 최대 전류 용량을 제한하는 구조를 통해 반도체 소자의 강건성을 강화시킬 수 있다.