3 METHOD FOR MANUFACTURING GRUOP 3 NITRIDE SEMICONDUCTOR TEMPLATE USING SELF-SEPARATION

본 발명은 자가 분리를 이용한 그룹3족 질화물 반도체 템플릿의 제조 방법에 관한 것으로, 상면에 제1 물질층과 제2 물질층이 순차적으로 적층된 분리기판을 준비하는 준비단계; 성장기판 위에 시드층을 성장시키는 성장단계; 제1 접합층을 통해 상기 시드층과 상기 제2 물질층을 접합시키는 제1 접합단계; 상기 성장기판을 제거하여 상기 시드층의 하면을 노출시키는 제1 제거단계; 제2 접합층을 통해 상기 시드층의 하면과 지지기판을 접합시키는 제2 접합단계; 상기 제2 물질층으로부터 상기 제1 물질층이 분리됨으로써 상기 분리기판이 제거되는 제2 제거단계; 및 상기 분리기판이 제거된 상기 시드층의 표면을 정리하는 표면정리단계를 포함하고, 상기 제2 제거단계에서는, 상기 분리기판과 상기 지지기판의 열팽창계수(CTE)의 차이로 인해 상기 제2 물질층으로부터 상기 제1 물질층이 자가 분리되는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 따르면, 열원 또는 레이저 가공 없이, 열팽창계수(CTE)의 차이에 따라 자가 분리(self-separation)되는 분리기판을 이용하여 전력반도체용 그룹3족 질화물 반도체 템플릿을 용이하게 제조할 수 있다.