Nanopowder processing method of ultra-high purity single crystal quartz using a carbon dioxide gas laser machine
본 발명은 탄산가스 레이저기를 이용한 초고순도 단결정 및 다결정 물질의 나노 파우더 가공방법에 관한 것으로서, 환경에 악영향을 미치는 화학적인 방법이 아닌 탄산가스 레이저기를 이용하는 물리적인 방법으로 100나노 이하 입자사이즈의 단결정 쿼츠, 실리콘, 실리카, 카본의 나노 파우더 가공이 이루어지는 효과를 나타낸다. 이를 실현하기 위한 본 발명은, 가공 대상물인 초고순도 물질 자재를 작업대 상에 안착시키는 자재 반입단계와; 상기 반입된 초고순도 물질 자재의 상부에 탄산가스 레이저기의 헤드부를 이동시키는 레이저 헤드 이동단계와; 상기...
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Format: | Patent |
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Zusammenfassung: | 본 발명은 탄산가스 레이저기를 이용한 초고순도 단결정 및 다결정 물질의 나노 파우더 가공방법에 관한 것으로서, 환경에 악영향을 미치는 화학적인 방법이 아닌 탄산가스 레이저기를 이용하는 물리적인 방법으로 100나노 이하 입자사이즈의 단결정 쿼츠, 실리콘, 실리카, 카본의 나노 파우더 가공이 이루어지는 효과를 나타낸다. 이를 실현하기 위한 본 발명은, 가공 대상물인 초고순도 물질 자재를 작업대 상에 안착시키는 자재 반입단계와; 상기 반입된 초고순도 물질 자재의 상부에 탄산가스 레이저기의 헤드부를 이동시키는 레이저 헤드 이동단계와; 상기 탄산가스 레이저기의 구동을 통한 탄산가스 레이저기를 이용하여 초고순도 물질 자재를 분쇄하는 분쇄단계와; 상기 분쇄된 자재 파우더를 포집하는 포집단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다. |
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