CW METHOD FOR OPTIMIZING PARAMETERS OF CW LASER THIN FILM ANNEALING PROCESS METHOD FOR LASER THIN FILM ANNEALING USING THE SAME AND POWER SEMICONDUCTOR THIN FILM FABRICATED THEREBY

Disclosed are a method for optimizing a CW laser thin film annealing process parameter, a laser thin film annealing method using the same, and a power semiconductor thin film manufactured thereby. The method for optimizing a CW laser thin film annealing process parameter, includes the following steps of: calculating a minimum CW laser radiation time to achieve a temperature at which a thin film including a semiconductor precursor can be crystalized; and calculating a maximum CW laser radiation time to radiate energy having a level at which crystals of the thin film are not destroyed. The laser thin film annealing method includes: a first step of coating a thin film including a semiconductor precursor; and a second step of radiating a CW laser to the thin film during a time between the minimum CW laser radiation time and the maximum CW laser radiation time. The power semiconductor thin film can be manufactured by the laser thin film annealing method. Therefore, the present invention is capable of cost-efficiently annealing a thin film. CW 레이저 박막 어닐링 공정 변수 최적화 방법, 이를 이용한 레이저 박막 어닐링 방법 및 이에 의해 제조된 전력 반도체 박막이 개시된다. 상기 CW 레이저 박막 어닐링 공정 변수 최적화 방법은 반도체 전구체를 포함하는 박막의 결정화가 일어날 수 있는 온도를 달성하기 위한 최소 CW 레이저 조사 시간을 산출하는 것; 및 상기 박막의 결정이 파괴되지 않는 정도의 에너지를 조사하기 위한 최대 CW 레이저 조사 시간을 산출하는 것;을 포함한다. 상기 레이저 박막 어닐링 방법은 기판 상에 반도체 전구체를 포함하는 박막을 코팅하는 제1 단계; 및 최소 CW 레이저 조사 시간 및 최대 CW 레이저 조사 시간 사이의 시간 동안 상기 박막에 CW 레이저를 조사하는 제2 단계;를 포함한다. 상기 전력 반도체 박막은 상기 레이저 박막 어닐링 방법에 의해 제조될 수 있다.