CMP Wafer cleaning module of CMP system

The present invention provides a wafer cleaning module of a chemical mechanical polishing (CMP) facility, which comprises: a cleaning block which is installed on a path along which a polished wafer moves in the CMP facility that performs a CMP process and has nozzles on one surface to spray a cleaning solution to the wafer; a cleaning solution supply pipe which has one side connected to the other surface of the cleaning block and the other side that supplies the cleaning solution drawn from the outside to the cleaning block; and a support which has one side connected to a side surface of the cleaning block and fixes the cleaning block to be located on the corresponding height. The nozzles provided on the cleaning block are provided in a plural form, and in response to the contamination distribution of a wafer, some of the plurality of nozzles are selectively opened to spray the cleaning solution. Each of the plurality of nozzles is linearly opened so that the cleaning solution sprayed from each nozzle forms a linear spray region. A rotation angle of each nozzle is adjusted around the center thereof as a shaft so that an angle of the linear spray region of the cleaning solution is selectively adjusted. The wafer cleaning module of a CMP facility is provided between polishing modules of the CMP facility that performs a CMP process to neutralize a pH level on a surface of a wafer after a polishing process and remove slurry remaining on the surface of the wafer. To this end, some of the plurality of nozzles are selectively opened according to the contamination distribution of the wafer, and the cleaning solution is sprayed onto the surface of the wafer. In addition, the nozzles are rotated according to the contamination distribution of the wafer to adjust an angle of the linear spray region of the cleaning solution. 본 발명은 CMP(Chemical Mechanical Polishing) 공정을 실시하는 CMP 설비 중 연마된 웨이퍼가 이동하는 경로 상에 배치되고, 일면에는 상기 웨이퍼로 세정액을 분사하는 노즐을 구비한 세정블록과, 상기 세정블록의 타면에 일측이 연결되어, 타측을 통해 외부에서 인입된 세정액을 상기 세정블록으로 공급하는 세정액 공급배관 및 상기 세정블록의 측면에 일측이 연결되고, 해당 높이 상에 상기 세정블록이 위치하도록 고정하는 지지대를 포함하고, 상기 세정블록에 구비되는 노즐은 복수 개로 구비되며, 웨이퍼의 오염 분포도에 대응하여 복수 개의 노즐 중 일부가 선택적으로 개방되어 세정액을 분사하되, 상기 복수 개의 노즐 각각은 선형으로 개방되어, 각 노즐에서 분사되는 세정액의 선 모양 분사영역을 형성하며, 상기 노즐 각각이 중심을 축으로 회전각도가 조정되어, 세정액의 선 모양 분사영역 각도가 선택적으로 조정되도록 하여, CMP(Chemical Mechanical Polishing) 공정을 실시하는 CMP 설비의 연마모듈들 사이에 구비되어, 연마 공정을 마친 웨이퍼 표면의 PH수치 중화 및 잔존하는 슬러리를 제거하도록, 사전에 인지된 상기 웨이퍼의 오염 분포도에 따라 복수 개의 노즐 중 일부가 선택적으로 개방되어, 웨이퍼의 표면에 세정액이 분사되도록 하고