Wet etching method and method of fabricating semiconductor device using the same

Provided is a wet etching method comprising: a step of providing a structure including an etching target film in a process bath for accommodating a first etching solution having a first phosphoric acid concentration; a step of performing a first etching process for etching the etching target film by using the first etching solution in the process bath; a step of providing a second etching solution having a second phosphoric acid concentration which is different from the first phosphoric acid concentration by changing the phosphoric acid concentration of the first etching solution; a step of performing a second etching process for etching the etching target film by using the second etching solution in the process bath; a step of providing a third etching solution having a third phosphoric acid concentration which is different from the first phosphoric acid concentration and the second phosphoric acid concentration by changing the phosphoric acid concentration of the second etching solution; and a step of performing a third etching process for etching the etching target film by using the third etching solution in the process bath. The present invention can improve reliability of a semiconductor device. 본 발명의 기술적 사상은 제1 인산 농도를 가지는 제1 식각 용액을 수용하는 프로세스 배스 내에 식각 대상막을 포함하는 구조물을 제공하는 단계; 상기 프로세스 배스 내에서 상기 제 1 식각 용액을 이용해 상기 식각 대상막을 식각하는 제1 식각 공정을 수행하는 단계; 상기 제1 식각 용액의 인산 농도를 변화시켜 상기 제1 인산 농도와 상이한 제2 인산 농도를 가지는 제2 식각 용액을 제공하는 단계; 상기 프로세스 배스 내에서 상기 제2 식각 용액을 이용해 상기 식각 대상막을 식각하는 제2 식각 공정을 수행하는 단계; 상기 제2 식각 용액의 인산 농도를 변화시켜 상기 제1 인산 농도 및 상기 제2 인산 농도와 상이한 제3 인산 농도를 가지는 제3 식각 용액을 제공하는 단계; 및 상기 프로세스 배스 내에서 상기 제3 식각 용액을 이용해 상기 식각 대상막을 식각하는 제3 식각 공정을 수행하는 단계; 를 포함하는 습식 식각 방법을 제공한다.