PVD Degas device for wafer Physical Vapor Deposition process

The present invention relates to a degas apparatus for a wafer physical vapor deposition (PVD) process. More specifically, the present invention relates to a degas apparatus configured to heat a wafer and burn foreign matter, comprising: a frame main body; a housing main body placed on an upper side of the frame main body, and having an accommodation space inside, and having an insertion slit formed on one surface to insert the wafer; and a heating chamber placed in the housing main body, and having a heater, and heating the wafer transferred through the insertion slit. The heating chamber accommodating a wafer to be processed is formed in a cassette structure, so the wafer can be placed to be stacked inside, thereby effectively improving processing efficiency and productivity. The heating chamber is configured to be elevated and lowered, so the wafer can be conveniently inserted or taken out from outside. 본 발명은 웨이퍼 PVD 공정용 디가스 장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 웨이퍼를 가열하여 이물질을 연소시키도록 된 디가스 장치로서, 프레임틀본체와, 상기 프레임틀본체이 상부에 배치되고 내부에 수용공간이 마련되고, 일면에 상기 웨이퍼가 인입되도록 인입슬릿이 형성된 하우징본체와, 상기 하우징본체의 내부에 배치되고 히터가 마련되며, 상기 인입슬릿을 통해 전달된 상기 웨이퍼를 가열하는 가열챔버로 이루어져, 가공될 웨이퍼가 수용되는 가열챔버를 카세트구조로 형성하여, 웨이퍼가 내부에 적층되게 배치되어 가공효율 및 생산성을 효과적으로 향상시킬 수 있게 되고, 가열챔버가 승강되도록 구성하여 웨이퍼를 외부에서 간편하게 인입 또는 인출시킬 수 있게 되는 효과가 있다.