Multi-Bit Memory Cell and In-Memory Device Using The Same

Disclosed are a multibit memory cell and an in-memory device using the same. A multibit memory cell in accordance with an embodiment of the present invention includes: a data storage circuit unit that receives a power supply voltage between a first bit line (BL) and a second bit line (BLB) and stores data based on the power supply voltage; a first switch circuit unit connected to the data storage circuit unit and configured to perform a switching operation based on the stored data; a second switch circuit unit connected between a read bit line (RBL) and the first switch circuit unit and performing a switching operation based on a multiplication processing control signal; and a third switch circuit unit connected to the RBL and configured to output an output voltage for charge sharing by performing a switching operation based on a summation processing control signal. The multibit memory cell can minimize noise due to a pull-up current. 멀티 비트 메모리 셀 및 그를 이용한 인 메모리 장치를 개시한다. 본 발명의 실시예에 따른 멀티 비트 메모리 셀은, 제1 비트라인(BL) 및 제2 비트라인(BLB) 사이에서 전원 전압을 공급받고, 상기 전원 전압에 기초하여 데이터를 저장하는 데이터 저장 회로부; 상기 데이터 저장 회로부와 연결되며, 상기 저장된 데이터에 근거하여 스위칭 동작을 수행하는 제1 스위치 회로부; 리드 비트라인(RBL) 및 제1 스위치 회로부 사이에 연결되며, 곱셈 처리 제어신호에 근거하여 스위칭 동작을 수행하는 제2 스위치 회로부; 및 상기 리드 비트라인(RBL)과 연결되며, 합산 처리 제어신호에 근거하여 스위칭 동작을 수행하여 전하 공유(Charge Sharing)를 위한 출력 전압을 출력하는 제3 스위치 회로부를 포함할 수 있다.