HIGH VOLTAGE SEMICONDUCTOR DEVICE and MANUFACTURING METHOD THEREOF

The present invention relates to a high voltage semiconductor element and a manufacturing method thereof. In the present invention, a channel region is secured by improving a semiconductor manufacturing process sequence to enable dopant injection at a desired point in a body region, the size of the channel region is reduced by reducing a tilt angle of a dopant, and the number of masks in a process is reduced by using one mask pattern for the body region and an LDD region. 본 발명은 고전압 반도체 소자 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명은, 반도체 제조 공정 순서를 개선하여 바디 영역의 원하는 지점에 도펀트 주입이 가능하게 하여 채널 영역을 확보하며, 또 도펀트의 틸트 각을 줄여 채널 영역의 크기를 감소시키고, 바디 영역과 LDD 영역을 하나의 마스크 패턴을 사용하여 공정에서의 마스크 개수를 줄이도록 하는 것이다.