Calibration Method for High Voltage Measurements in Klystron

본 발명에서는 클라이스트론의 정확한 동작 전압을 측정하기 위해 기존의 CVD를 이용한 전압 측정을 위한 정확도가 높고 인-시튜(in-situ) 방식의 교정 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. 상기 목적을 위해, 본 발명에서는 모듈레이터에 설치되는 PFN의 특성 임피던스를 측정하는 단계, 클라이스트론으로 인가되는 전류값을 CT(current transformer)를 통해 측정하는 단계, 상기 클라이스트론으로 전압이 인가될 때 반사되는 전압의 반사계수를 측정하는 단계, 상기 측정된 PFN의 특성 임피던스와 상기 측정된 반사계수를 통해...

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	HWANG JI HYUN, YU DONG HO, HYUN SEONG YOON, PARK SUNG JU, PARK SUNG SOO, JANG SUNG DUCK, CHA SUNG SU
Format:	Patent
Sprache:	eng ; kor
Schlagworte:	ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY MEASURING MEASURING ELECTRIC VARIABLES MEASURING MAGNETIC VARIABLES PHYSICS PLASMA TECHNIQUE PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OFNEUTRONS PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMICBEAMS TESTING
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Beschreibung
Zusammenfassung:	본 발명에서는 클라이스트론의 정확한 동작 전압을 측정하기 위해 기존의 CVD를 이용한 전압 측정을 위한 정확도가 높고 인-시튜(in-situ) 방식의 교정 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. 상기 목적을 위해, 본 발명에서는 모듈레이터에 설치되는 PFN의 특성 임피던스를 측정하는 단계, 클라이스트론으로 인가되는 전류값을 CT(current transformer)를 통해 측정하는 단계, 상기 클라이스트론으로 전압이 인가될 때 반사되는 전압의 반사계수를 측정하는 단계, 상기 측정된 PFN의 특성 임피던스와 상기 측정된 반사계수를 통해 클라이스트론의 임피던스를 계산하는 단계, 상기 계산된 클라이스트론의 임피던스와 상기 측정된 클라이스트론으로 흐르는 전류값을 통해 클라이스트론에 인가되는 전압을 계산하는 단계 및 상기 계산된 전압을 기초로 CVD(Capacitive Voltage Divider)의 측정 전압을 교정하는 단계를 포함하는, 클라이스트론에 인가되는 전압을 측정하기 위한 CVD(Capacitive Voltage Divider) 인-시튜(in-situ) 전압 교정 방법을 제공한다.