METHOD OF MANUFACTURING PEROVSKITE THIN FILM CONTAINING TIN AND PHOTOELECTRIC DEVICE HAVING THE PEROVSKITE THIN FILM

Disclosed is a method of manufacturing a perovskite thin film, capable of manufacturing a tin-containing perovskite thin film having excellent quality. The method of manufacturing the perovskite thin film includes: forming a (divalent) metal chalcogenide thin film on a substrate; forming a preliminary thin film by applying a precursor solution of chemical formula 1 or 2 on the (divalent) metal chalcogenide thin film; and converting the preliminary thin film into a perovskite thin film having a composition represented by chemical formula 3 by thermally treating the preliminary thin film. The chemical formula 1 is represented by AX, the chemical formula 2 is represented by AM^2X_3, and the chemical formula 3 is represented by AM(_x)(^1)M_(1-x)(^2)X_3. In the chemical formulas 1 to 3, A represents a monovalent organic cation or a monovalent metal cation, M^1 represents a first metal, M^1 and M^2 represent mutually different divalent metal cations, X represents a halogen anion, and x is a real number which is greater than 0 and less than or equal to 1. 페로브스카이트 박막의 제조방법이 개시된다. 페로브스카이트 박막의 제조방법은 기판 상에 금속(+2가) 칼코겐화물 박막을 형성하는 단계, 금속(+2가) 칼코겐화물 박막 상에 하기 화학식 1 또는 화학식 2의 전구체 용액을 도포하여 예비 박막을 형성하는 단계 및 예비 박막을 열처리하여 하기 화학식 3의 조성을 갖는 페로브스카이트 박막으로 변환시키는 단계를 구비한다. [화학식 1][화학식 2][화학식 3]상기 화학식 1 내지 3에서, A는 +1가의 유기 양이온 또는 +1가의 금속 양이온을 나타내고, M은 상기 제1 금속을 나타내고, M및 M는 각각 서로 다른 +2가의 금속 양이온을 나타내고, X는 할로겐 음이온을 나타내며, x는 0 초과 1 이하의 실수일 수 있다.