Ti etchant Composition for Undercut prevention of an redistribution layer and/or a multi layer

The present invention relates to a selective titanium etchant composition for a rewiring layer or a composite film. The titanium etchant composition according to the present invention has an excellent undercut prevention effect by minimizing the etching rate of a copper film in a rewiring layer or a composite film containing copper and titanium, and thus a titanium film can be selectively removed. The selective titanium etchant composition for a rewiring layer or a composite film according to the present invention includes an additive containing 5 to 10 wt% of potassium hydroxide; 0.1 to 1 wt% of 2-oxazolidinone; 0.1 to 1 wt% of an undercut inhibitor; 0.1 to 1 wt% of an amino acid chelating agent; and a residual amount of ultrapure water; and hydrogen peroxide mixed with the additive. The hydrogen peroxide and the additive are mixed at a volume ratio of 17: 4. 본 발명은 재배선층 또는 복합막질의 선택적 티타늄 식각액 조성물에 관한 것으로, 본 발명에 따른 티타늄 식각액 조성물은 재배선층 또는 구리와 티타늄을 포함한 복합막질에서 구리 막질의 식각 속도를 최소화함으로 언더컷 방지 효과가 매우 우수하며, 티타늄 막질을 선택적으로 제거할 수 있다.본 발명에 따른 재배선층 또는 복합막질의 선택적 티타늄 식각액 조성물은 수산화칼륨 5 ~ 10 중량%; 2-옥사졸리디논 0.1 ~ 1 중량%; 언더컷 방지제 0.1 ~ 1 중량%; 아미노산계 킬레이트제 0.1 ~ 1 중량%; 및 잔량의 초순수를 포함하여 이루어지는 첨가제; 및 상기 첨가제에 혼합되는 과산화수소로 구성되고, 상기 과산화수소와 첨가제는 17:4 부피비로 혼합되는 것을 특징으로 한다.