SEMICONDUCTOR INTEGREATED CIRCUIT DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

The present invention relates to a semiconductor integrated circuit device and a method for manufacturing a semiconductor integrated circuit device, in which high withstand voltage of a bipolar integrated circuit in a radiation environment can be realized. In particular, the method comprises: a step of forming a first buried layer by injecting impurities of a first conductivity type into a first region and a second region which are separated from each other in a length direction of a first conductivity-type semiconductor layer support substrate; a step of forming a second buried layer by injecting impurities of a second conductivity type into a third region between the first region and the second region and a partial region of the second region; a step of forming a first conductivity-type epitaxial layer to cover the first region to the third region on one surface of the support substrate; a step of diffusing impurities of the first buried layer into the epitaxial layer by heat-treating the support substrate and diffusing impurities of the second buried layer into the first conductivity-type semiconductor layer support substrate and the epitaxial layer; a step of forming a deep trench which overlaps a part of the third region and is penetrated from one surface of the epitaxial layer to the other surface of the support substrate; and a step of filling the deep trench with an insulating film. In the step of filling the deep trench with an insulating film, the insulating film is grown from a region where the impurities of the second conductivity type are diffused on the inner wall of the deep trench, and fills the deep trench. 본 발명은 반도체 집적 회로 장치의 제조방법에 관한 것으로 특히, 제1도전형 반도체층 지지기판의 길이 방향을 따라서 서로 이격된 제1영역과 제2영역에 상기 제1영역 및 상기 제2영역에 제1도전형의 불순물을 주입하여 제1매립층을 형성하는 단계; 상기 제1영역과 상기 제2영역 사이의 제3영역과 상기 제2영역의 일부 영역에 제2도전형의 불순물을 주입하여 제2매립층을 형성하는 단계; 상기 지지기판의 일면에 상기 제1영역 내지 상기 제3영역을 덮도록 제1도전형의 에피택셜층을 형성하는 단계; 상기 지지기판을 열처리하여, 상기 제1매립층의 불순물을 상기 에피택셜층으로 확산시키고, 상기 제2매립층의 불순물을 상기 제1도전형 반도체층 지지기판 및 상기 에피택셜층으로 확산시키는 단계; 상기 제3영역의 일부와 오버랩되고, 상기 에피택셜층의 일면에서 상기 지지기판의 타면까지 관통하는 딥 트렌치를 형성하는 단계; 및 상기 딥 트렌치를 절연막으로 충전하는 단계;를 포함하고, 상기 딥 트렌치를 절연막으로 충전하는 단계에서 상기 절연막은 상기 딥 트렌치의 내벽에 상기 제2도전형의 불순물이 확산된 영역부터 성장되면서 상기 딥 트렌치를 충전하는 것을 특징으로 하는 방사선 환경 내에서 의 바이폴라 집적 회로의 고내압화를 실현하는 반도체 집적 회로 장치 및 제조 방법에 관한 것이다.