Etchant composition with high selectivity to silicon nitride

The present invention relates to an etching composition for a silicon nitride film. The present invention relates to a high-selectivity etching composition for use in silicon nitride films for semiconductor fabrication, which is used to etch and remove silicon nitride films in semiconductor processes and which has a higher etching rate of the silicon nitride films compared to that of the silicon oxide films in a high-temperature etching process. According to the present invention, the high-selectivity etching composition selectively etches the silicon nitride film among the stacked silicon nitride films and silicon oxide films, that is, etches at a selectivity ratio of 2000:1 or more and at the same time minimizes the damage and etching rate of the silicon oxide films, and regrowth of the silicon oxide film does not occur according to the time of the process. 본 발명은 실리콘질화막의 식각 조성물에 관한 것으로, 반도체 공정에서 실리콘질화막을 식각하여 제거하는 데 사용되며, 고온의 식각 공정에서 실리콘산화막 대비 실리콘질화막의 식각 속도가 선택적으로 높은 반도체 제조용 실리콘질화막의 고선택비 식각 조성물에 관한 것이다. 본 발명에 따르면, 고선택비 식각 조성물은 적층되어 있는 실리콘질화막과 실리콘산화막 중 실리콘질화막을 선택적으로 식각, 즉 2000 : 1 이상의 선택비로 식각하는 동시에 실리콘산화막에 데미지 및 식각속도를 최소화 하고 공정시간에 따른 실리콘산화막의 재성장이 일어나지 않는다.