FINGERPRINT RECOGNITION SENSOR REDUCING THE INFLUENCE OF PARASTIC CAPACITANCE
Disclosed is a fingerprint recognition sensor for mitigating influence of parasitic capacitance. The fingerprint recognition sensor according to the present invention has a sensing read block for sensing a voltage level of a sensing node and generating a sensing data. The sensing read block has a co...
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Format: | Patent |
Sprache: | eng ; kor |
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Zusammenfassung: | Disclosed is a fingerprint recognition sensor for mitigating influence of parasitic capacitance. The fingerprint recognition sensor according to the present invention has a sensing read block for sensing a voltage level of a sensing node and generating a sensing data. The sensing read block has a compensation unit driven to compensate for an influence of parasitic capacitance generated in the sensing node when a sensing driving unit performs a sensing operation. The compensation unit is a compensation charge means including a compensation capacitor having a capacitance value corresponding to the parasitic capacitance, and the compensation capacitor includes: a compensation charge means having at least one sub-capacitor of which a terminal on one side is electrically connected to a reserved node; a first compensation switch for controlling voltage of a second precharge reference signal to connect the reserved node in response to activation of a precharge control signal; and a second compensation switch driven to electrically connect the reserved node to a driving node in response to activation of a sensing control signal. A terminal on the other side of the at least one sub-capacitor may be controlled by a capacitor reference voltage. In the fingerprint recognition sensor of the present invention, the compensation unit is driven to offset the parasitic capacitance generated at a sensing electrode which forms a terminal on one side of a sensing capacitor. Therefore, according to the fingerprint recognition sensor of the present invention, a fingerprint pattern of a good quality can be secured as the influence of the parasitic capacitance of the sensing electrode is mitigated.
기생 캐패시턴스의 영향을 완화하는 지문 인식 센서가 게시된다. 본 발명의 지문 인식 센서는 센싱 노드의 전압 레벨을 센싱하여 센싱 데이터를 발생하는 센싱 독출 블락을 구비한다. 상기 센싱 독출 블락은 센싱 구동부의 센싱 동작시에 센싱 노드에 발생되는 기생 캐패시턴스의 영향을 보상하도록 구동되는 보상부를 구비한다. 상기 보상부는 상기 기생 캐패시터에 상응하는 캐패시턴스값을 가지는 보상 캐패시터를 포함하는 보상 축전 수단으로서, 상기 보상 캐패시터는 일측 단자가 상기 예비 노드에 전기적으로 연결되는 적어도 하나의 서브 캐패시터를 포함하여 구성되는 상기 보상 축전 수단; 상기 프리차아지 제어 신호의 활성화에 응답하여, 상기 예비 노드를 상기 제2 프리차아지 기준 신호의 전압을 제어하는 제1 보상 스위치; 및 상기 센싱 제어 신호의 활성화에 응답하여, 상기 예비 노드를 상기 구동 노드에 전기적으로 연결되도록 구동되는 제2 보상 스위치를 구비한다. 상기 적어도 하나의 서브 캐패시터의 다른 일측 단자는 캐패시터 준 전압으로 제어될 수 있다. 본 발명의 지문 인식 센서에서는, 상기 보상부가 감지 캐패시터의 일측 단자를 형성하는 감지 전극에 발생되는 기생 캐패시턴스를 상쇄하도록 구동된다. 그러므로, 본 발명의 지문 인식 센서에 의하면, 감지 전극의 기생 캐패시턴스의 영향이 완화되어 양질의 지문 패턴이 확보될 수 있다. |
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