TIN-SILVER SOLDER BUMP HIGH SPEED PLATING SOLUTION AND THE MANUFACTURING METHOD THEREOF

The present invention relates to a high speed plating solution for a tin-silver solder bump, which comprises: 2.1-20 wt% of tin ion; 0.01-1.5 wt% of silver ion; 5.0-30 wt% of conductive salt; 0.12-15 wt% of at least one urea compound selected from a group comprising N,N-diisopropyl thiourea, diphenyl thiourea, dimethyl thiourea, diethyl thiourea, and thiourea dioxide; 0.3-10 wt% of crystal grain conditioning agent; 0.8-8 wt% of smoother; and the remaining of ultrapure water. Moreover, the present invention provides a high speed plating method for a tin-silver solder bump, capable of touching the high speed plating solution with a substrate of an electronic component such as a semiconductor device, applying 3.0-20 A/dm2 of current density, plating the solder bump at 1.5-10 m/min, and making the solder bump contain 1.0-4.0wt% of silver. According to the present invention, the high speed plating solution and the high speed plating method are capable of easily forming a size between uniform bumps and a smooth plated surface by having a plating speed and a silver concentration of a bump, which are stable for a high speed plating condition. 본 발명은 고속도금 조건하에서 주석-은 솔더 범프 고속 도금액으로, 주석이온 2.1 ~ 20wt%; 은이온 0.01 ~ 1.5wt%; 전도염 5.0 ~ 30wt%; N,N'-디이소프로필티오우레아, 디페닐티오우레아, 디메틸티오우레아, 디에틸티오우레아, 티오우레아 디옥사이드로 이루어진 그룹에서 일이상 선택되는 우레아 화합물 0.12 ~ 15wt%; 결정립조정제 0.3 ~ 10wt%; 평활제 0.8 ~ 8wt% 및 잔량의 초순수를 포함하여 이루어지는 주석-은 솔더 범프 고속 도금액에 관한 것이다.또한, 본 발명은 상기 주석-은 솔더 범프 고속 도금액을 반도체 장치 등 전자 부품의 기판상에 접촉시키고 3.0 ~ 20 A/dm의 전류 밀도를 인가하고, 도금속도 1.5 ~ 10 μm/min로 도금하고, 주석-은 솔더 범프 내 은의 함량이 1.0 ~ 4.0wt% 인 것을 특징으로 하는 주석-은 솔더 범프 고속 도금 방법을 제공한다.본 발명에 따른 주석-은 솔더 범프 고속 도금액 및 이를 이용한 고속 도금방법은 고속 도금 조건에서 안정적인 도금속도와 범프 은 함량을 가져, 매끄러운 도금 표면, 균일한 범프 간의 크기를 원활하게 형성할 수 있는 이점이 있다.