METHOD OF LEARNING AUTOMATICALLY DIE SIZE AND DIE NUMBER IN A MASK

The present invention relates to a method for automatically acquiring the size and number of dies in a mask to process a micro-wafer including a plurality of dies. The method comprises: a step of finding a specific pattern representing one corner of a mask formed in a scribe line and determining the pattern as a reference point; a step of moving a sensor having a region of interest in the range capable of recognizing a specific pattern as a sensing region in one direction of die alignment directions on a wafer from the reference point while finding a pattern having the same form as the specific pattern, recording a position corresponding to the movement distance, and acquiring the size of the mask in one direction; a step of moving the sensor in a different direction vertical to one direction from the reference point while obtaining the size of the mask in the different direction in the same method; and a step of determining a frame area with a size including a die active region and a specific pattern, obtaining and registering optical information for the active region except for the scribe line in the frame region in a state where a specific pattern position is a reference point, obtaining optical information corresponding to a frame area for each position obtained by dividing the size of the mask in one direction by a natural number less than a specific number set as the maximum number of dies in the size of the mask in one direction by a setter, performing pattern matching with registered information, determining the maximum value of natural numbers corresponding to positions representing a correlation in which the pattern matching value is over a threshold value, as the number of dies in one direction in the mask, and determining the number of dies in the other direction in the same manner. 본 발명은 복수의 다이를 포함하는 마스크로 웨이퍼를 가공하기 위해 마스크 내의 다이 크기와 개수를 자동 획득하는 방법으로서, 스크라이브 라인에 형성되는 마스크의 일 코너를 나타내는 특정 패턴을 찾아 기준점으로 정하는 단계, 특정 패턴을 인식할 수 있는 범위의 관심 영역을 센싱 영역으로 하는 센서를 기준점으로부터 웨이퍼 상의 다이 정렬 방향 가운데 한 방향으로 이동하면서 이 특정 패턴과 동일한 형태의 패턴을 찾고 그 이동 거리에 해당하는 위치를 기록하여 한 방향으로의 마스크 크기를 얻는 단계, 센서를 기준점으로부터 한 방향과 수직한 다른 방향으로 이동하면서 마찬가지 방법으로 다른 방향으로의 마스크 크기를 얻는 단계, 특정 패턴 및 다이 활성 영역이 포함되는 크기의 프레임 영역을 정하고, 특정 패턴 위치를 기준점으로 한 상태에서 프레임 영역 내에서 스크라이브 라인을 제외한 활성 영역에 대한 광학적 정보를 얻어 등록하고, 한 방향으로의 마스크 크기를 설정자가 한 방향으로의 마스크 크기 내 최대 다이 개수라고 설정한 특정수 이하의 자연수로 나눈 위치마다 프레임 영역에 해당하는 광학적 정보를 얻어 등록된 정보와 패턴 매칭을 실시하고, 패턴 매칭 값이 문턱값을 넘는 양의 상관도를 보이는 위치에 해당하는 자연수 가운데 최대치를 마스크 내의 한 방향으로의 다이 개수로 정하고, 마찬가지로 다른 방향 다이