THIN FILM DEPOSITION APPARATUS

The present invention relates to a thin film depositing apparatus. The thin film depositing apparatus according to the present invention includes a gas supply unit which includes at least one gas supply module which successively supplies a plurality of process gases including a raw source gas and a reactive gas and a substrate supporting unit which supports a substrate and is formed to move with regard to the gas supply unit. The substrate supporting unit performs at least one loop movement including a plurality of forward and backward movements according to a step. A loop movement distance between the initial position and the final position of the substrate is equal to or longer than the length of one gas supply module in case of one loop movement. 본 발명은 박막증착장치에 관한 것으로서, 본 발명에 따른 박막증착장치는 원료가스와 반응가스를 포함하는 복수의 공정가스를 순차적으로 공급하는 가스공급모듈을 적어도 하나 이상 구비한 가스공급부 및 기판을 지지하며 상기 가스공급부에 대해 이동 가능하게 구비되는 기판지지부를 포함하고, 상기 기판지지부는 복수회의 단계별 전진 및 단계별 후진을 포함하는 적어도 하나의 루프이동을 수행하며, 상기 하나의 루프이동을 하는 경우에 상기 기판의 최초위치와 최후위치 사이의 루프이동거리는 상기 하나의 가스공급모듈의 길이 이상인 것을 특징으로 한다.