METHOD FOR FORMING FINE PATTERN IN SEMICONDUCTOR DEVICE

1. 청구범위에 기재된 발명이 속한 기술분야 반도체 장치의 제조방법. 2. 발명이 해결하려고 하는 기술적 과제 TLR 공정을 통한 미세 패턴 형성시 최종의 식각 타겟이 레지스트와 패터닝될 하부막의 2 레이어(Layer)이므로 패턴 프러파일이 나빠지고, 선폭제어가 용이하지 않으며, 하부 포토레지스트는 통상의 베이크 공정보다 더 많은 시간의 베이크 공정을 필요로 하는 문제점이 있었음. 3. 발명의 해결방법의 요지 TLR 공정을 통한 미세 패턴 형성시 레티클을 사용하지 않는 전면 노광 단계를 도입하므로써 패턴 프러파일을 개선하고, 선폭제...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser:	YOON, MIN SIK
Format:	Patent
Sprache:	eng ; kor
Schlagworte:	APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR CINEMATOGRAPHY ELECTROGRAPHY HOLOGRAPHY MATERIALS THEREFOR ORIGINALS THEREFOR PHOTOGRAPHY PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES,e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTORDEVICES PHYSICS
Online-Zugang:	Volltext bestellen
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!

Beschreibung
Zusammenfassung:	1. 청구범위에 기재된 발명이 속한 기술분야 반도체 장치의 제조방법. 2. 발명이 해결하려고 하는 기술적 과제 TLR 공정을 통한 미세 패턴 형성시 최종의 식각 타겟이 레지스트와 패터닝될 하부막의 2 레이어(Layer)이므로 패턴 프러파일이 나빠지고, 선폭제어가 용이하지 않으며, 하부 포토레지스트는 통상의 베이크 공정보다 더 많은 시간의 베이크 공정을 필요로 하는 문제점이 있었음. 3. 발명의 해결방법의 요지 TLR 공정을 통한 미세 패턴 형성시 레티클을 사용하지 않는 전면 노광 단계를 도입하므로써 패턴 프러파일을 개선하고, 선폭제어가 용이한 미세 패턴 형성방법을 제공하고자함. 4. 발명의 중요한 용도 반도체 장치의 미세 패턴 형성에 이용됨.