Method for forming the metalization in a semiconductor device

PURPOSE: A method for forming a metal interconnection of a semiconductor device is provided to improve the surface roughness of a metal interconnection by using aluminium in a horizontally long metal interconnection and by uniformly filling a contact hole or a via hole of a high aspect ratio. CONSTITUTION: A semiconductor substrate(100) having a lower structure of a metal interconnection is introduced to the inside of a deposition chamber of a CVD(chemical vapor deposition) apparatus. An aluminum layer having a thickness of 500-1000 angstroms is deposited on the semiconductor substrate by a CVD method. The surface of the deposited aluminium layer is heat-treated in atmospheric gas to supply a nucleation site for the deposited aluminium. The Al deposition process and the heat treatment are repeated to form an Al layer of a desired thickness on the semiconductor substrate. 금속배선의 증착과 열처리를 반복하여 금속배선 표면의 거칠기를 개선시킬 수 있는 반도체 소자의 금속배선 형성방법을 개시한다. 이 방법은 금속배선의 하부구조가 구비된 반도체 기판을 화학기상증착 장치의 증착실내에 인입하는 단계와, 상기 반도체 기판상에 화학기상증착법으로 가장 우수한 표면형상을 갖는 임계두께만큼 금속을 증착하는 단계와, 증착되는 금속의 핵생성 자리를 제공할 수 있도록 상기 증착된 금속표면을 분위기 기체하에서 열처리하는 단계와, 상기 금속증착 단계와 상기 열처리 단계를 반복하여 상기 반도체 기판상에 원하는 두께만큼 금속층을 증착하는 것을 특징으로 한다.