METHOD FOR FORMING ISOLATION LAYER OF SEMICONDUCTOR DEVICE

PURPOSE: A method for forming an isolation layer of a semiconductor device is provided to be capable of improving the yield, characteristic and reliability of the semiconductor device. CONSTITUTION: The first and second insulating layer are sequentially formed on a semiconductor substrate(11). A conductive layer is formed on the second insulating layer. A trench is formed by selectively etching the conductive layer, the second and first insulating layer, and the semiconductor substrate using an isolation mask. Oxidation is performed on the trench for transforming the surface portion of the trench into the third insulating layer. The fourth insulating layer is formed on the entire surface of the resultant structure for filling the trench. The first and second CMP(Chemical Mechanical Polishing) process are sequentially performed on the resultant structure. The second and first insulating layer are sequentially removed. A cleaning process is performed at the resultant structure. 본 발명은 반도체소자의 소자분리절연막 형성방법에 관한 것으로, 반도체기판을 일정두께 식각하고 이를 매립하는 트렌치형 소자분리절연막 형성방법에 있어서, 상기 반도체기판 상부에 제1절연막과 제2절연막을 형성하고 상기 제2절연막 상부에 절연막과 연마속도비가 큰 물질층을 일정두께 형성한 다음, 상기 반도체기판에 트렌치를 형성하고 상기 반도체기판의 노출된 부분을 산화시켜 제3절연막을 형성한 다음, 상기 트렌치를 매립하는 제4절연막을 형성하고 상기 제4절연막을 연마하는 제 1 화학기계연마 ( Chemical Vapor Deposition, 이하에서 CMP 라 함 ) 공정을 실시한 다음, 상기 물질층과 제4절연막을 연마하는 제2 CMP 공정을 실시하고 상기 제 2,1절연막을 제거한 다음, 상기 반도체기판 표면 상부를 세정하는 공정으로 상기 트렌치를 매립하는 동시에 상부면이 평탄화된 소자분리절연막을 형성함으로써 후속공정을 용이하게 하여 반도체소자의 수율을 향상시키고 반도체소자의 특성 및 신뢰성을 향상시키며 그에 따른 반도체소자의 고집적화를 가능하게 하는 기술이다.