FLASH MEMORY DEVICE

PURPOSE: A flash memory device is provided to improve operation properties by changing constant voltage after rising power voltage. CONSTITUTION: A flash memory device includes a switching circuit(21), a booster circuit(22) for rising the potential of power voltage(Vcc) and a constant voltage generating circuit(23) for transforming the output voltage of the booster circuit to a constant voltage. The switching circuit(21) supplies the output voltage of the constant voltage generating circuit to a bit line according to output signal of an Y-decoder. 본 발명은 플래쉬 메모리 장치에 관한 것으로, 전원전압의 변동에 의한 소자의 동작 특성 저하를 방지하기 위하여 공급되는 전원전압을 승압시킨 후 일정한 전위의 전압으로 변환하므로써 프로그램 또는 소거시 메모리 셀의 드레인에 일정한 전위의 전압이 공급된다. 따라서 전원전압이 변동되더라도 메모리 셀의 프로그램 또는 소거 효율이 저하되지 않기 때문에 소자의 동작 특성이 향상되며, 또한 저전력 메모리 소자를 용이하게 구현할 수 있는 플래쉬 메모리 장치에 관한 것이다.