METAL LINE OF SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FORMING THE SAME

PURPOSE: A metal line of a semiconductor device and a method for forming the same are provided to be capable of preventing the stress generated due to the difference of thermal expansion coefficient of the metal line from being directly supplied to the metal line made of aluminum by using a compound layer containing aluminum and graphite. CONSTITUTION: After forming an insulating layer(1) on a semiconductor substrate, an aluminum layer(2) is deposited on the resultant structure. Then, an impact absorbing layer(3) made of a compound layer is formed on the resultant structure. An anti-reflective coating(4) is deposited on the resultant structure. After forming a photoresist mask pattern on the anti-reflective coating, a metal line pattern is formed by selectively etching the anti-reflective coating, the impact absorbing layer, and the aluminum layer using the photoresist mask pattern as an etching mask. Preferably, the compound layer is made of aluminum and graphite. 본 발명은 금속배선막 위에 후속공정에서 형성되는 막과의 열팽창계수 차이로 인하여 알루미늄의 금속배선막에 인가되는 응력을 완화시킬 수 있는 금속배선 형성방법을 제공하기 위한 것이다. 이와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 형성방법은 반도체 기판상부에 형성된 절연막 위에 알루미늄 금속막을 소정 두께로 증착하는 단계; 알루미늄 금속막 위에 후속공정에서 덮여지는 막과의 열팽창계수 차이에 의한 응력의 흡수하기 위한 충격 흡수막을 소정 두께로 증착하는 단계; 충격 흡수막 위에 빛의 반사를 방지하는 반사방지막을 증착하는 단계; 반사방지막위에 감광막 마스크 패턴을 형성하여 노출된 반사방지막, 알루미늄 복합재료막 및 알루미늄막을 식각하여 금속배선 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.