METHOD FOR FORMING CONTACT HOLE OF SEMICONDUCTOR DEVICE

PURPOSE: A method for forming a contact hole of a semiconductor device is provided to be capable of preventing the generation of etching residuals due to slight etching and the damage of a junction region due to excessive etching. CONSTITUTION: An insulating layer(13) is formed on a semiconductor substrate(11) having a junction region(12). After forming a mask pattern on the insulating layer, a dry etching process is carried out at the insulating layer by using the mask pattern for forming a contact hole. At this time, the insulating layer remains at the bottom portion of the contact hole. After implanting nitrogen ions into the resultant structure, the mask pattern is removed. A spacer oxide layer(15) is deposited on the entire surface of the resultant structure. At this time, the implanted nitrogen ions are activated. The contact hole is completed by removing the spacer oxide layer and remaining insulating layer. At this time, the junction region is protected by the remaining insulating layer. 본 발명은 반도체 소자의 콘택홀 형성 방법에 관한 것으로, 반도체 소자의 콘택홀 제조 공정시, 콘택홀의 형성으로 인해 노출되는 접합 영역의 손상을 방지할 수 있는 기술을 제공한다. 이를 위한 본 발명의 반도체 소자의 콘택홀 형성방법은, 반도체 소자를 구성하는 기본 전극 및 접합 영역이 구비된 반도체 기판상에 절연막을 형성하는 단계; 상기 접합 영역이 형성된 상기 절연막 상부에 콘택홀 형성용 마스크 패턴을 형성하는 단계; 상기 마스크 패턴에 의하여 상기 절연막을 건식 식각하되, 상기 결합 영역 위에 절연막이 소정 부분 잔존하도록 식각하는 단계; 상기 결과물 상부에 질소 원자를 이온 주입하는 단계; 상기 마스크 패턴을 제거한 후 전체 구조물 상부에 스페이서용 산화막을 형성하는 단계; 상기 스페이서용 산화막 형성시 증착 온도에 의해 상기 질소 원자가 활성화되어 상기 접합 영역 위에 잔존하는 절연막을 질화막화 하는 단계; 및 상기 스페이서용 산화막을 제거하기 위해 과도 식각을 진행할 때 상기 접합 영역 위에 잔존하는 절연막은 상기 접합 영역을 보호하면서 서서히 식각되어 콘택홀을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.