VOLTAGE GENERATION CIRCUIT OF SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

PURPOSE: A voltage generation circuit of a semiconductor device is provided to be capable of improving reliability by restraining generation of a leakage current. CONSTITUTION: A voltage generation circuit comprises a charge pump circuit(1) for pumping an applied voltage, a voltage divide circuit(2)...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser: JUNG, CHAE HYEON, YANG, TAE HEUM
Format: Patent
Sprache:eng ; kor
Schlagworte:
Online-Zugang:Volltext bestellen
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!