METHOD FOR FABRICATING BIPOLAR TRANSISTOR USING OVER-GROWTH OF COLLECTOR EPITAXIAL LAYER

PURPOSE: A method for fabricating a bipolar transistor using over-growth of a collector epitaxial layer is provided to improve a boundary characteristic between epitaxial layers formed with a field oxide layer and a collector layer. CONSTITUTION: The first collector epitaxial layer(3) is grown on a whole surface of a wafer(1). A silicon dioxide layer is grown on the whole surface of the wafer(1). A surface of a silicon is exposed. The second collector epitaxial layer(6) is grown on the exposed silicon. An etch back process for the second collector epitaxial layer(6) is performed. The second collector epitaxial layer(6) is masked by using the nitride/oxide layer. A silicon dioxide layer is grown on the exposed the first and the second collector epitaxial layer(3,6). A collector sinker(10) is formed thereon. A field oxide layer(11) is grown on the collector sinker(10). A base epitaxial layer(12) is grown on the second collector epitaxial layer(6). An emitter polysilicon layer(15) and a nitride layer(16) are formed thereon. A sidewall oxide layer(17) is formed on a side of the emitter polysilicon layer(15). An inactive base(19) is formed by implanting boron ions. A metallic silicide layer(22) is formed on the emitter polysilicon layer(15) and the inactive base(19). An oxide layer(23), a contact point, and metallic lines(24,25,26) are formed on the whole surface of the wafer(1). 본 발명은 쌍극자 트랜지스터의 컬렉터가 형성될 부분을 산화막으로 정의하고 산화막 위로 컬렉터 단결정 박막이 과성장되도록 두껍게 실리콘 단결정 박막을 성장한 다음 소정의 두께가 남도록 과성장된 컬렉터 단결정 박막을 에치백(etch back)하고, 질화막으로 컬렉터 단결정 박막을 마스킹하고 산화막을 습식식각하여 제거한후, 노출된 컬렉터 단결정 박막의 표면에 수백 Å 두께의 열산화막을 성장하고 다시 제거하여 산화막과 컬렉터 단결정 박막사이의 결정 결함을 제거한 다음, 필드 산화막을 성장함으로써 필드 산화막과 컬렉터 단결정 박막의 계면 특성을 개선하였다. 따라서 본 발명은 베이스와 컬렉터간의 누설전류가 감소되고 컬렉터 단결정 박막상에 베이스 단결정 박막을 성장함으로서 양질의 얇은 베이스 단결정 박막의 형성이 가능할 뿐아니라 필드 산화막 위에 비활성 베이스를 형성할 수 있어 베이스-컬렉터간의 접합용량이 감소되어 트랜지스터의 속도 특성이 향상된다.