SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

기록시에 사이클타임의 고속화를 방해하지 않으면서 기록모드에서 독출모드로 바꾼 후의 최초 독출사이클에 있어서의 데이터 독출시간의 고속화를 간단한 회로구성으로 달성한다. 데이터의 기록이 가능한 복수의 다이나믹형 메모리셀을 갖춘 메모리셀 어레이(11)와, 메모리셀로부터의 독출데이터 및 메모리셀에 대하여 기록해야 할 데이터가 전송되는 데이터선쌍, 메모리셀에 대한 데이터의 기록시에 외부로부터의 기록데이터에 기초하여 데이터선쌍을 구동하는 라이트 드라이버(17) 및, 라이트 드라이버(17)에 의해 데이터선쌍의 구동이 행해질 때마다 데이터선쌍을...

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser: NAGABA, GATSUI, GAI, YASUYUKI, OSIMA, SIGEO
Format: Patent
Sprache:eng ; kor
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Beschreibung
Zusammenfassung:기록시에 사이클타임의 고속화를 방해하지 않으면서 기록모드에서 독출모드로 바꾼 후의 최초 독출사이클에 있어서의 데이터 독출시간의 고속화를 간단한 회로구성으로 달성한다. 데이터의 기록이 가능한 복수의 다이나믹형 메모리셀을 갖춘 메모리셀 어레이(11)와, 메모리셀로부터의 독출데이터 및 메모리셀에 대하여 기록해야 할 데이터가 전송되는 데이터선쌍, 메모리셀에 대한 데이터의 기록시에 외부로부터의 기록데이터에 기초하여 데이터선쌍을 구동하는 라이트 드라이버(17) 및, 라이트 드라이버(17)에 의해 데이터선쌍의 구동이 행해질 때마다 데이터선쌍을 중간전위로 설정하는 이퀄라이저회로(18)를 구비하고 있다. A semiconductor memory device capable of shortening data reading time in a first read cycle after the mode has been changed from a write mode to a read mode while maintaining high-speed cycle time when data is written despite simple structure, the semiconductor memory device having a memory cell array (11) having a plurality of dynamic memory cells, to which data can be written, data line pairs (DQ0, BDQ0 to DQN, BDQN) to which data read from the memory cells and data which must be written on the memory cells are transferred, a write driver (17) for driving the data line pairs in accordance with write data supplied from outside when data is written to the memory cells and an equalizing circuit (18) for setting the data line pairs to an intermediate potential whenever the data line pairs are operated by the write driver.