Method for pre-treatment of silicon substrate

PURPOSE: A method for pretreating a silicon substrate is provided to increase carrier mobility in a channel under a gate oxide layer by reducing the roughness of the surface of the silicon substrate, and to prevent an abnormal growth of the gate oxide layer formed in a subsequent process by forming a hydrogen passivation layer. CONSTITUTION: A silicon substrate is annealed in a hydrogen atmosphere for more than an hour and at a temperature scope from 600 deg.C to 1000 deg.C, so that the roughness of the surface of the silicon substrate is reduced while a hydrogen passivation layer is formed. 실리콘기판 상에 게이트산화막을 형성하는 경우에 그 표면거칠기를 감소시키기 위해 행해지는 실리콘기판의 전처리방법에 관해 개시한다. 본 발명은, 실리콘기판 상에 게이트산화막을 형성하기 위한 실리콘기판의 전처리방법에 있어서, 상기 실리콘기판을 수소분위기 내에서 어닐링하여 상기 실리콘기판 표면의 거칠기를 감소시키는 동시에 보호하는 수소보호막을 형성하는 것을 특징으로 하는 실리콘기판의 전처리방법을 제공한다. 본 발명에 의하면, 실리콘기판 표면의 거칠기가 감소되므로, 게이트산화막 하부의 채널에서의 캐리어 이동도(carrier mobility)가 증가하여 소자의 고속화가 가능해진다. 또한, 수소보호막을 형성시켜 후속하여 형성되는 게이트산화막의 이상성장을 방지하므로, 우수한 트랜지스터 특성을 갖게 할 수 있다.