MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

PURPOSE: A method for manufacturing a semiconductor device is provided to improve the tolerance against the electrostatic discharge by allowing the heat to be dispersed over an edge portion of a drain area. CONSTITUTION: A pad oxide layer, a polycrystalline layer, a nitride layer and a photoresist film pattern are sequentially formed on a semiconductor substrate(1). Then, a nitride layer pattern, a polycrystalline layer pattern and a pad oxide layer pattern are formed by performing a dry etching process using the photoresist film pattern as an etching mask. First to third impurity areas(11,13,15) are formed by sequentially doping the first to third impurities onto the semiconductor substrate(1). After forming a field oxide layer(15) on the semiconductor substrate(1), the above patterns are removed thereby forming a drain area(19) and a source area(21). An impurity area is formed in the source area(12) and the drain area(19) by performing a heat-treating process. 본 발명은 반도체 소자의 제조방법에 관한 것으로, 반도체 소자가 고집적화될수록 트랜지스터의 폭이 줄어들게 되므로 전류가 흐르는 드레인 에지부분이 더욱 줄어들게 되어 소자의 신뢰성이 떨어지는 문제점이 발생된다. 이를 위해 본 발명은 ESD 구조의 필드산화막 제조공정에 있어서 다수의 불순물을 도핑하여 드레인/소오스영역에 불순물 영역을 형성하는데 드레인영역과 소오스영역의 윗부분에는 거리를 멀리하고 아래 부분으로 갈수록 거리를 가깝게 하여 즉, 역계단 형태의 불순물영역을 형성함으로써 열확산이 드레인영역 에지부분의 전반에 걸쳐 확산되도록 하여 소자의 ESD 내성을 향상시키는 기술에 관한 것이다.