METHOD FOR MANUFACTURING THIN FLIM ACTUATED MIRROR ARRAY
PURPOSE: A thin-film micromirror array-actuated(TMA) manufacturing method prevents the permeation of a hydrogen fluoride vapor towards an active matrix or an active layer through an Iso-Cut portion during the etching process of a sacrificial layer, thereby preventing the damage of the active matrix....
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Format: | Patent |
Sprache: | eng ; kor |
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Zusammenfassung: | PURPOSE: A thin-film micromirror array-actuated(TMA) manufacturing method prevents the permeation of a hydrogen fluoride vapor towards an active matrix or an active layer through an Iso-Cut portion during the etching process of a sacrificial layer, thereby preventing the damage of the active matrix. CONSTITUTION: An etch passivation layer(165) of an amorphous silicon not to be etched by a hydrogen fluoride(HF) vapor during the etching process of a sacrificial layer is etched only to cover an Iso-Cut portion. An air gap is formed in the position of the sacrificial layer by etching the sacrificial layer using the HF vapor. At this time, the HF vapor is not permeated towards an active matrix(100) and an active layer(135) through the Iso-Cut portion because the Iso-Cut portion is covered by the etch passivation layer(165).
박막형 광로 조절 장치의 제조 방법이 개시되어 있다. M×N 개의 트랜지스터가 내장되고 상기 트랜지스터의 드레인으로부터 연장되는 드레인 패드를 포함하는 액티브 매트릭스를 제공한다. 액티브 매트릭스의 상부에 희생층을 형성한 후, 그 상부에 지지층을 형성한다. 지지층의 상부에 하부 전극을 형성한 후, 하부 전극을 각 화소별로 IsoCut한다. 하부 전극의 상부에 변형층 및 상부 전극을 순차적으로 형성한다. 상기 상부 전극, 변형층, 하부 전극 및 지지층을 순차적으로 화소 형상으로 식각한다. 상기 IsoCut 부를 피복하도록 식각 보호층을 형성한 후, 상기 희생층을 제거하여 에어 갭을 형성한다. 상기 식각 보호층이 IsoCut 부를 보호하고 있으므로, 플루오르화 수소(HF) 증기를 이용한 희생층의 식각 공정시 상기 플루오르화 수소 증기가 IsoCut 부를 통해 변형층 또는 액티브 매트릭스 쪽으로 침투하여 액티브 매트릭스가 손상을 입는 것을 방지할 수 있다. |
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