Dust-proof cloth for clean room of semiconductor device manufacturing factory and its manufacturing method

반도체 클린룸용 방진원단으로서, 편직물로 된 기저층, 상기 기저층위에 점접착되며 무공(無空)타입의 고흡수성 폴리우레탄 수지필름으로 된 중간층, 상기 중간층위에 접착되며 경사 또는 위사 방향의 소정 간격으로 도전사가 배열된 폴리에스테르 고밀도 직물로 이루어진 외피층의 3층 구조로 구성되어 인체에서 발생되는 수분 등의 미세한 파티클에 대한 차폐 기능이 우수하고 착용감이 뛰어난 반도체 클린룸용 방진원단이 개시되어 있다. A dust-proof fabric is disclosed. The fabric comprises an inner kn...

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Hauptverfasser: LIM, CHANG-SU, KIM, SUE-RYEON, KIM, IL-KYOUNG, KIM, HYEOG-KI
Format: Patent
Sprache:eng ; kor
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Beschreibung
Zusammenfassung:반도체 클린룸용 방진원단으로서, 편직물로 된 기저층, 상기 기저층위에 점접착되며 무공(無空)타입의 고흡수성 폴리우레탄 수지필름으로 된 중간층, 상기 중간층위에 접착되며 경사 또는 위사 방향의 소정 간격으로 도전사가 배열된 폴리에스테르 고밀도 직물로 이루어진 외피층의 3층 구조로 구성되어 인체에서 발생되는 수분 등의 미세한 파티클에 대한 차폐 기능이 우수하고 착용감이 뛰어난 반도체 클린룸용 방진원단이 개시되어 있다. A dust-proof fabric is disclosed. The fabric comprises an inner knit fabric layer, an intermediate layer of a moisture absorbent polyurethane film and a high density woven polyester fabric outer layer. The outer layer contains a first set of spaced apart conductive yarns aligned with one another in the warp direction and a second set of spaced apart conductive yarns aligned in the weft direction.