SEMICONDUCTOR SUBSTRATE FABRICATING METHOD

본 발명은 투명층이 박형의 규소층과 후막형태의 규소층사이에 형성되고 상기 투명층상에는 상기 박형의 규소층으로 구성되고 디바이스소자를 이루는 규도도상부가 형성되며, 상기 후막형태의 규소층이 웨이퍼상에서 에칭되어 제거됨으로써 투명부위가 형성되는 반도체장치에 관한 것으로 상기 투명층은 질화규소피막 또는 탄화규소피막으로 형성하거나 산화규소피막의 상하 양면 또는 그 어느 하나의 면상에 질화규소피막 또는 탄화규소피막이 피착된 형태로 형성됨으로써 상기 규소도상부를 형성하는 과정과 배면의 후막 형태의 규소판을 에칭하는 과정에서 상기 투명층이 제거되거나 파손되는 것을 방지할 수 있게 된다. A semiconductor wafer is comprised of a transparent layer interposed between a thin silicon layer and a thick silicon layer. Silicon islands are formed from the thin silicon layer on the transparent layer. Device elements are formed in the silicon islands. Thereafter, the thick silicon layer which is a support layer is etched away to form a transparent region on the wafer. The wafer is constructed to avoid elimination or destruction of the transparent layer during the course of formation of the silicon islands and during the course of etching of the rear thick silicon plate. The transparent layer is comprised of a silicon nitride film or a silicon carbide film. Alternatively, the transparent layer is comprised of a silicon oxide film covered by a silicon nitride film or a silicon carbide film on one or both of the upper and lower faces of the silicon oxide film.