TRANSISTOR HAVING DOUBLE SPACER

본 발명은 다층 게이트전극의 측면에 상,하로 형성된 2중 스페이서를 구비한다. 상기 2중 스페이서중 산화막으로 형성된 1차 스페이서는 다층 게이트전극의 제1 층인 제1 도전층의 측면을 일부 감싸는 형태이고 질화막으로 형성된 2차 스페이서는 상기 제1 스페이서가 형성된 부분을 제외한 상기 다층 게이트 전극의 나머지 측면을 감싸고 있다. 이에 따라 상기 제1 스페이서로 인해 상기 다층 게이트 전극과 게이트 산화막사이의 양단에는 게이트 버즈 비크를 형성할 수 있고 이 과정에서 상기 다층 게이트전극의 나머지 측면산화는 방지할 수 있다. 아...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

1. Verfasser:	SHIN, WOO-KYUN
Format:	Patent
Sprache:	eng ; kor
Schlagworte:	ELECTRICITY
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