TRANSISTOR HAVING DOUBLE SPACER

본 발명은 다층 게이트전극의 측면에 상,하로 형성된 2중 스페이서를 구비한다. 상기 2중 스페이서중 산화막으로 형성된 1차 스페이서는 다층 게이트전극의 제1 층인 제1 도전층의 측면을 일부 감싸는 형태이고 질화막으로 형성된 2차 스페이서는 상기 제1 스페이서가 형성된 부분을 제외한 상기 다층 게이트 전극의 나머지 측면을 감싸고 있다. 이에 따라 상기 제1 스페이서로 인해 상기 다층 게이트 전극과 게이트 산화막사이의 양단에는 게이트 버즈 비크를 형성할 수 있고 이 과정에서 상기 다층 게이트전극의 나머지 측면산화는 방지할 수 있다. 아울러 게이트전극과 드레인사이의 오버랩 커패시턴스와 전기장의 세기를 줄여서 트랜지스터의 특성이 저하되는 것을 막을 수 있을 뿐만 아니라 트랜지스터의 소오스나 드레인영역에 커패시터나 비트라인 콘택을 자기정합적으로 형성할 수 있다.