MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

본 발명은 고집적반도체 소자의 제조방법에 관한 것으로, LDD영역을 갖는 MOSFET를 형성하기 위하여 게이트 전극을 형성한 다음, 기판에 LDD 영역을 형성하고, 게이트 전극 상부 및 측면에 스페이서용 감광막 패턴을 형성한 후 고농도 불순물을 기판으로 이온주입하여 소오스/드레인 영역을 형성하는 제조방법에 관한 것이다....

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	KWEON, WEON-TAK, PAK, SANG-HO, HYEON, IL-SEON, GU, YEONG-MO
Format:	Patent
Sprache:	eng ; kor
Schlagworte:	BASIC ELECTRIC ELEMENTS ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY SEMICONDUCTOR DEVICES
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Beschreibung
Zusammenfassung:	본 발명은 고집적반도체 소자의 제조방법에 관한 것으로, LDD영역을 갖는 MOSFET를 형성하기 위하여 게이트 전극을 형성한 다음, 기판에 LDD 영역을 형성하고, 게이트 전극 상부 및 측면에 스페이서용 감광막 패턴을 형성한 후 고농도 불순물을 기판으로 이온주입하여 소오스/드레인 영역을 형성하는 제조방법에 관한 것이다.