METHOD FOR FORMING A THIN FILM AND SEMICONDUCTOR DEVICES

[구성] 마이크로 웨이브에 의한 전계와 주위에 배설된 여자 코일에 의한 자계와의 작용에 의해 플라즈마실에서 플라즈마를 생성시키고 상기 생성시킨 플라즈마를 반응실에 도입하여 시료대에 재치된 시료에 박막을 형성하는 방법에 있어서, Ar, H및 N가스를 상기 플라즈마실에 도입하는 한편, 금속계 가스를 상기 반응실에 도입함으로써 상기 시료상에 금속질화물막을 형성하는 것을 특징으로 하는 박막의 형성방법. [효과] 콘택트 홀부에 스텝 커버리지에 뛰어난 박막을 형성할 수 있고 또 콘택트 홀 측벽부에는 저부보다도 얇게 막을 형성시킬 수 있다. 따...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Hauptverfasser:	TANIHARA, AKIRA, AKAHORI, TAKASHI
Format:	Patent
Sprache:	eng ; kor
Schlagworte:	BASIC ELECTRIC ELEMENTS ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY SEMICONDUCTOR DEVICES
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