METHOD FOR FORMING A THIN FILM AND SEMICONDUCTOR DEVICES

[구성] 마이크로 웨이브에 의한 전계와 주위에 배설된 여자 코일에 의한 자계와의 작용에 의해 플라즈마실에서 플라즈마를 생성시키고 상기 생성시킨 플라즈마를 반응실에 도입하여 시료대에 재치된 시료에 박막을 형성하는 방법에 있어서, Ar, H및 N가스를 상기 플라즈마실에 도입하는 한편, 금속계 가스를 상기 반응실에 도입함으로써 상기 시료상에 금속질화물막을 형성하는 것을 특징으로 하는 박막의 형성방법. [효과] 콘택트 홀부에 스텝 커버리지에 뛰어난 박막을 형성할 수 있고 또 콘택트 홀 측벽부에는 저부보다도 얇게 막을 형성시킬 수 있다. 따라서 후공정에 있어서의 배선재료의 매입을 확실한 것으로 하여 LSI디바이스의 신뢰성을 향상시킬 수 있다. A method for forming a thin film, comprising the steps of: generating a plasma in a plasma generation chamber by action of an electric field generated by a microwave and a magnetic field generated by an exciting coil arranged around; and introducing the generated plasma into a reaction chamber, resulting in forming a thin film on a sample placed on a sample stage, wherein it is a chracteristic to form a metal nitride film on said sample, by introducing Ar, H2, and N2 gas into said plazma generation chamber, while introducing a metallic gas into said reaction chamber. By the method according to the present invention, it is possible to form a thin film having good Step Coverage on the contact hole, in addition, on the side wall of the contact hole a thinner film can be formed than that on the bottom. As a result, in the next step, filling in with interconnection materials can be surely performed, resulting in improving reliability of LSI devices.